Datos del producto:
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Lugar de origen: | Original |
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Nombre de la marca: | Original |
Certificación: | ISO9001:2015standard |
Número de modelo: | MR0A08BCYS35 |
Pago y Envío Términos:
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Cantidad de orden mínima: | 10pcs |
Precio: | Contact us to win best offer |
Detalles de empaquetado: | Estándar |
Tiempo de entrega: | días 1-3week |
Condiciones de pago: | L/C, T/T, Western Union, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000pcs/months |
Información detallada |
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Paquete/gabinete: | TSOP-44 | Tipo de interfaz: | Paralelo |
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Serie: | MR0A08B | Estilo de la instalación: | SMD/SMT |
Tipo de producto: | MRAM | Peso de unidad: | 5,066 g |
Alta luz: | MR0A08BCYS35 MRAM,Memoria de acceso aleatorio magnetoresistente de SMT,Memoria de acceso aleatorio magnetoresistente del almacenamiento de datos |
Descripción de producto
Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35
VENTAJAS DE LAS CARACTERÍSTICAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
• Fuente de alimentación de 3,3 voltios
• Rápidamente ciclo de lectura/grabación de 35 ns
• Sincronización compatible de SRAM
• Falta de volatilidad nativa
• Lectura ilimitada y escribir resistencia
• Datos siempre permanentes durante >20 años en la temperatura
• Temperaturas comerciales e industriales
• Todos los productos resuelven el nivel de la sensibilidad de humedad MSL-3
• Paquetes RoHS-obedientes de TSOP2 y de BGA
VENTAJAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
Categoría de producto: | MRAM |
TSOP-44 | |
Paralelo | |
1 Mbit | |
128 k x 8 | |
pedazo 8 | |
35 ns | |
3 V | |
3,6 V | |
55 mA | |
- 40 C | |
+ 85 C | |
MR0A08B | |
Bandeja | |
Humedad sensible: | Sí |
Montaje de estilo: | SMD/SMT |
Tipo de producto: | MRAM |
135 | |
Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
Peso de unidad: | 0,178707 onzas |
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